机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:通过雾化学气相沉积在立方(111)MgO和(111)氧化钇稳定的氧化锆衬底上异质外延生长ε-Ga2O3薄膜
机译:使用两步生长方法在Si(111)衬底上异质外延生长高质量InSb膜
机译:通过脉冲光辅助电沉积在P-Si(111)基板上的高质量CdTe膜的制备
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:氢流量对Si(111)衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响
机译:非金刚石基底上的金刚石的假形稳定化:在c-BN(111)表面上的异质外延生长的金刚石。